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车用充电器SiC MOS器件失效的技术分析 车载充电机

文字:[大][中][小] 发布时间:2020-10-13     浏览次数:56    

欣锐科技在充电器上使用的技术流派更类似于特斯拉,采用的是孤立的架构。市场发布时间基本相同,属于巧合采用的这项技术。SiC MOS器件的失效,问题已经是半导体器件技术的深层次问题,普通的开关电源技术人员无法理解这些知识,再加上国内半导体制造工艺人员的缺乏和了解,导致器件失效的范围很大,进一步说明中国的半导体知识亟待提高,不能简单地相信国际大公司的质量可以信赖。只关注外部应用程序。

关于车载充电机 SiC MOS 器件失效的技术分析

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第三,车载电源企业在研发过程中面临着黑匣子部件的窘境

关于车载充电机 SiC MOS 器件失效的技术分析

自2013年第一代碳化硅驱动的欣锐科技产品问世以来,经历了10年的长期质量数据采集和跟踪。作为第三代半导体驱动管,碳化硅(SiC)在外部封装上与前两代相差不大,因此作为电路应用企业,汽车充电器供应商在制造工艺和工艺控制上与前两代没有明显区别。新技术探索前期,需要的是长期的技术判断和战略定力。新供应商、新工艺、新材料设计完成后,往往需要多年时间才能通过道路、环境、耐久性等可靠性验证。新锐做了充分的前期投入和准备,台架验证,车辆验证项目保质保量完成,实车功能、道路、耐久性试验严格按照验证大纲进行。即便如此,也不可能防止一些设备中的一些突变因素造成的隐藏缺陷。新瑞这次面对的就是这种情况,具有非常典型的特点。由于ROHM的流程设计是独立进行的,第三方机构无法提前判断新流程架构是否存在隐患。在批量生产前的所有台架测试和车辆测试中都没有出现类似的问题。一年后,由于零星的故障已经批量积累到一定程度,只有足够大的数量才能发现,问题开始出现。虽然近年来国内碳化硅开始快速发展,但欣锐科技高度重视,与一些龙头企业开展了不同形式的合作,但国际厂商话语权强的基本态势并没有整体扭转。国际大型半导体企业的核心工艺和制造工艺不透明。很多流程和流程变更很难用物理的方式拆解和比较,也很难深入分析。因此,一旦出现质量问题,半导体厂商只会通过器件损坏的现象给出很多“可能”的猜测,并引导客户调查自己的问题,涉及到自己可能存在的隐患往往是避免的。

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